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厂商型号

2SC5706-H 

产品描述

Trans GP BJT NPN 50V 5A 3-Pin(3+Tab) TP Bag

内部编号

277-2SC5706-H

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:2852
1+¥4.1026
10+¥3.453
100+¥2.106
1000+¥1.6274
2500+¥1.3881
10000+¥1.2855
25000+¥1.2239
50000+¥1.1692
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:500
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2SC5706-H产品详细规格

规格书 2SC5706-H datasheet 规格书
2SC5706-H datasheet 规格书
2SA2039/2SC5706
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 500
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 240mV @ 100mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 200 @ 500mA, 2V
功率 - 最大 800mW
频率转换 400MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
供应商器件封装 TP
包装材料 Bulk
包装 3TP
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 50 V
集电极最大直流电流 5 A
最小直流电流增益 200@500mA@2V
最大工作频率 400(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.135@50mA@1A|0.24@100mA@2A V
最大集电极基极电压 100 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 800 mW
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
集电极最大直流电流 5
Maximum Transition Frequency 400(Typ)
包装宽度 2.3
PCB 3
最大功率耗散 800
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TP
标准包装名称 TO-251
最高工作温度 150
包装长度 6.5
最大集电极发射极电压 50
包装高度 5.5
最大基地发射极电压 6
封装 Bag
标签 Tab
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 5A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 400MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 240mV @ 100mA, 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 TP
功率 - 最大 800mW
封装/外壳 TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 500mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
集电极 - 发射极饱和电压 0.16 V
晶体管极性 NPN
系列 2SC5706
直流电流增益hFE最大值 560
增益带宽产品fT 400 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO 100 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 5 A
工厂包装数量 500
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 15 W

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